دیتاشیت SI2392ADS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI2392ADS-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 89.734 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SI2392ADS-T1-GE3 |
SI2392ADS-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2392ADS-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1.25W;2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10.4nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 196pF@50V
- Continuous Drain Current (Id): 3.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 126mΩ@10V,2A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech